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結(jié)果: 找到相關(guān)主題 614 個
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充氣泵電路圖,充氣泵MOS管應(yīng)用-KIA MOS管
充氣泵中的MOS管主要用于控制電機供電和氣壓調(diào)節(jié)，實現(xiàn)精準(zhǔn)充氣和智能控制。電機控制充氣泵通常配備電機驅(qū)動氣泵，通過MOS管調(diào)節(jié)電流通斷以控制電機運轉(zhuǎn)。www.enlve.com/article/detail/5770.html 2025-07-04
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040N10N,100v120a場效應(yīng)管,KCX040N10N參數(shù)原廠-KIA MOS管
KCX040N10N場效應(yīng)管漏源擊穿電壓100V，漏極電流120A ，采用先進(jìn)的MOS技術(shù)制造，極低導(dǎo)通電阻RDS(開啟) 3.6mΩ，卓越的QgxRDS（on）產(chǎn)品（FOM），減少開關(guān)損耗，提高效率；符合JEDEC標(biāo)準(zhǔn)，100%DVDS測試、100%雪崩測試，確保可靠性和穩(wěn)定性，在電機控制和驅(qū)動、電...www.enlve.com/article/detail/5771.html 2025-07-04
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分壓原理詳解,電路分壓原理和分流原理-KIA MOS管
分壓原理涉及串聯(lián)電路中電阻上的電壓分配，其中流經(jīng)每個電阻的電流相同，各電阻兩端的電壓累加得到總電壓。分壓原理的公式為R1：R2=U1：U2。在并聯(lián)電路中分流。www.enlve.com/article/detail/5769.html 2025-07-04
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032n10n場效應(yīng)管參數(shù),120a100v mos管,KCX032N10N-KIA MOS管
KCX032N10N場效應(yīng)管漏源擊穿電壓100V，漏極電流120A ，采用先進(jìn)的MOS技術(shù)制造，極低導(dǎo)通電阻RDS(開啟) 3.5mΩ，卓越的QgxRDS（on）產(chǎn)品（FOM），減少開關(guān)損耗，提高效率；符合JEDEC標(biāo)準(zhǔn)，100%DVDS測試、100%雪崩測試，確保可靠性和穩(wěn)定性，在電機控制和驅(qū)動、電...www.enlve.com/article/detail/5768.html 2025-07-03
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推挽電壓尖峰高原因及解決方法分享-KIA MOS管
在每個開關(guān)管的并聯(lián)位置添加反并聯(lián)二極管。這樣做可以在開關(guān)管關(guān)斷時提供一個回路，使電感中的能量得以釋放，從而降低尖峰電壓的幅值。www.enlve.com/article/detail/5767.html 2025-07-03
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ac電流和dc電流關(guān)系,有什么區(qū)別-KIA MOS管
ac(交流電）：電流方向和大小隨時間按正弦規(guī)律周期性變化。例如家庭用電（中國為220V/50Hz），電流方向每秒改變100次。www.enlve.com/article/detail/5766.html 2025-07-03
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17N10場效應(yīng)管,259a100v,KCX017N10N參數(shù)資料-KIA MOS管
KCX017N10N場效應(yīng)管漏源擊穿電壓100V，漏極電流259A ，采用先進(jìn)的MOS技術(shù)制造，極低導(dǎo)通電阻RDS(開啟) 2mΩ，卓越的QgxRDS（on）產(chǎn)品（FOM），減少開關(guān)損耗，提高效率；符合JEDEC標(biāo)準(zhǔn)，?100%DVDS測試、100%雪崩測試，確保可靠性和穩(wěn)定性，在電機控制和驅(qū)動、電...www.enlve.com/article/detail/5765.html 2025-07-02
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n溝道m(xù)os管開關(guān)電路,原理圖分享-KIA MOS管
nmos管作為防止電路反接方案中，VCC=5V的電源加在10K阻性負(fù)載上，電壓表、電流表分別測量，記錄值是5V、500uA；切換Key開關(guān)，模擬電源反接時，測得記錄值是-49.554mV、-4.955uA。www.enlve.com/article/detail/5764.html 2025-07-02
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直流快充樁和交流充電樁區(qū)別,優(yōu)缺點詳解-KIA MOS管
交流充電樁輸出的依然是交流電，這種電流需要經(jīng)過車載充電機(OBC)轉(zhuǎn)換為直流電后才能為電池充電。這一轉(zhuǎn)換過程限制了充電速度，因為車載充電機的功率通常有限(3.3kW-22kW不等)。www.enlve.com/article/detail/5763.html 2025-07-02
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12N10場效應(yīng)管參數(shù),330a100v,KCX012N10N參數(shù)-KIA MOS管
KCX012N10N場效應(yīng)管漏源擊穿電壓100V，漏極電流330A ，采用先進(jìn)的MOS技術(shù)制造，極低導(dǎo)通電阻RDS(開啟) 1.4mΩ，卓越的QgxRDS（on）產(chǎn)品（FOM），減少開關(guān)損耗，高效穩(wěn)定；符合JEDEC標(biāo)準(zhǔn)，堅固可靠，在電機控制和驅(qū)動、電池管理、不間斷電源（UPS）中廣泛應(yīng)用；...www.enlve.com/article/detail/5762.html 2025-07-01
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llc電路詳解,llc諧振電路原理-KIA MOS管
LLC變換器由4個模塊組成：電源開關(guān)、諧振腔、變壓器和二極管整流器。MOSFET功率開關(guān)首先將輸入的直流電壓轉(zhuǎn)換為高頻方波；隨后方波進(jìn)入諧振腔，由諧振腔消除方波的諧波并輸出基頻的正弦波；正弦波再通過高頻變壓器傳輸?shù)阶儞Q器的副邊，并根據(jù)應(yīng)用需求對電壓進(jìn)行...www.enlve.com/article/detail/5761.html 2025-07-01
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ppn詳解,ppn電容作用,測量方法-KIA MOS管
PPN電容是CBB13型無感箔式聚丙烯膜電容的另一種名稱，屬于薄膜電容器的一種，具有高頻損耗小、耐沖擊、溫度穩(wěn)定性好等特點，廣泛應(yīng)用于高頻、直流、交流及大電流脈沖電路中。www.enlve.com/article/detail/5760.html 2025-07-01
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電機控制MOS管,305a90v,12N09場效應(yīng)管參數(shù)中文資料-KIA MOS管
KCX012N09N場效應(yīng)管漏源擊穿電壓90V，漏極電流305A ，采用先進(jìn)的MOS技術(shù)制造，極低導(dǎo)通電阻RDS(開啟) 1.3mΩ，卓越的QgxRDS（on）產(chǎn)品（FOM），減少開關(guān)損耗，提高效率；符合JEDEC標(biāo)準(zhǔn)，產(chǎn)品性能穩(wěn)定可靠，在電機控制和驅(qū)動、電池管理、不間斷電源（UPS）中廣泛...www.enlve.com/article/detail/5759.html 2025-06-30
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tip42c參數(shù)與管腳圖,tip42c參數(shù)及代換-KIA MOS管
TIP42C是PNP功率晶體管，采用TO-220塑料封裝，材料是SI-NPN，該器件適用于音頻，功率線性和開關(guān)應(yīng)用。與TIP42C互補的PNP類型為TIP41C中功率三極管，其廣泛用于信號放大及音頻功放用晶體管。www.enlve.com/article/detail/5758.html 2025-06-30